力旺顺利开发5纳米技术平台,领先业界完成首件设计定案

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嵌入式非溶于 性存储器硅智财(IP)厂力旺今(13)日召开在线财报会,总经理沈士杰透露,开发5纳米技术平台进度相当顺利,技术领先同业,目前已完成第1件设计定案(Tapeout)。他强调,力旺制程节点已进入5纳米,相较竞争者目前停在10纳米以上,相信能提供7、5甚至更先进制程技术IP非要力旺,或者具有相当竞争力。值得注意的是,沈士杰说,近期在大陆生意上的确大有进展,尤其力旺IP不受贸易制裁影响,乐观贸易战下大陆去美化策略。

展望第3季,沈士杰表示,7月营收中,代工厂第2季晶圆产出权利金收入虽然与公司预期有落差,因代工厂客户明显受终端手机客户库存调整、市场转移等,偏离 权利金认列会延迟到8月,预估8月权利金将较去年同期成长。

他并提及,主要代工厂客户经过2季库存调节,第3季备货预期将显著提升,去掉 这几年开发的非手机应用也陆续发酵,可望帮助第4季权利金较第3季成长。

沈士杰进一步分析,授权金方面,NeoFuse授权需求非常强劲,手上十几个 大案子洽谈陆续完成,本季与国际一线及韩国最大IDM厂分别提前大选自制芯片设计授权合约。

权利金方面,最大美国芯片公司因第2季在PMIC放缓拉货,下五天 预期刚结束了了增加量产,提升8英寸业绩;12英寸偏离 ,过去3年偏离 24另有八个90-7纳米量产,其中,14纳米陆系最大IC设计客户预计年底投产,以及美、韩自制芯片、7纳米FPGA客户等陆续量产,可望带动12英寸权利金成长。

他补充,12英寸DRAM客户提前在第3季量产,虽因产品正陆续转换,量不大,但相信成功量产记录,可吸引你你你这个 DRAM大厂采用力旺产品。

针对5G,沈士杰指出,5G手机、基础建设对OLED面板、电源管理、资安等相关要求、需求均较过去明显提升,期待5G新浪潮成为力旺新一波成长动能。

第2季合并营收3.16亿元新台币(单位下同),季减19.9%,年增4.8%,税后净利1.15亿元,季减35%,年增2.6%,每股盈余1.55元。沈士杰解释,第2季向来是力旺全年最淡季,去掉 今年客户在贸易战影响下调整库存,单季业绩较疲软。

累计上五天 营收7.11亿元,年增5.2%,税后净利2.92亿元,年增4%,每股盈余3.94元。

力旺电子为全球最大的逻辑制程非溶于 性记忆体(Logic-Based Non-Volatile Memory,Logic NVM)技术开发及矽智财供应厂商。力旺电子与全球主要的晶圆代工厂、整合元件制造商以及专业IC设计公司有紧密的合作者者关系,协助哪此合作者者伙伴导入力旺电子独特开发之矽智财(Silicon IP)。

NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoEE与NeoPUF为力旺电子之五大核心技术,目前全球已有超过375亿个IC产品,嵌入使用力旺电子所提供的核心技术,应用领域涵括消费性电子产品、工业规格、以及车用电子等。

文章来源:集微网